| 发明名称 | 提高硅高压平面器件击穿电压的良品率的方法 | ||
| 摘要 | 一种提高硅高压平面器件击穿电压的良品率的方法，当芯片加工的高温工艺完成后，将终端区的硅表面裸露，用化学清洗的方法对裸露的硅表面进行腐蚀剥离。本方法工艺简单、实用，解决了基础条件与工艺水平相对较差的情况下，可以确保硅高压平面器件的击穿电压，有较高的良品率和稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN1074556A | 申请公布日期 | 1993.07.21 |
| 申请号 | CN92100068.5 | 申请日期 | 1992.01.14 |
| 申请人 | 中国科学院微电子中心 | 发明人 | 罗梅村;赵时化 |
| 分类号 | H01L21/306;H01L21/308 | 主分类号 | H01L21/306 |
| 代理机构 | 中国科学院专利事务所 | 代理人 | 戎志敏 |
| 主权项 | 1、一种提高硅高压平面器件击穿电压的良品率的方法其特征是当芯片加工的高温工艺完成后，将终端区的硅表面裸露，用化学清洗的方法对裸露的硅表面进行腐蚀剥离。 | ||
| 地址 | 100029北京市德胜门外祁家豁子华严里 | ||