| 发明名称 |
HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURE |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP0514079(A3) |
申请公布日期 |
1993.07.21 |
| 申请号 |
EP19920304094 |
申请日期 |
1992.05.07 |
| 申请人 |
RAYTHEON COMPANY |
发明人 |
HUANG, JOHN C.;JACKSON, GORDON S. |
| 分类号 |
H01L29/812;H01L21/338;H01L29/08;H01L29/778;(IPC1-7):H01L29/812 |
主分类号 |
H01L29/812 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
