一种太阳能电池的制造方法及其太阳能电池

摘要

一种太阳能电池(10)，具有至少一个半导体衬底表面(12)，其上设有升高部分(24，26，28)，在升高部分上构成导出载流子的导电接触层(20)，并至少在导电接触层之间覆盖一层钝化材料(16)。为了能用简单的工艺制造高效率的太阳能电池，在构成升高部分后将半导体衬底表面全面地或绝大程度全面地用钝化材料覆盖。然后去除掉升高部分上的钝化材料及必要时除去其上的半导体材料。随后在升高部分裸露区域上设置形成导电接触层的材料。

主权项

1、制造一种太阳能电池(10，46，48，58，80，82，94，108，124，144，210，236，258)的方法，该太阳能电池包括一个半导体衬底(12，110，126，146，160，212，238)，在其中由射入的光能产生出载流子，及传导出载流子的导电接触层(20，40，42，44，100，102，114，130，156，164，218，230，254)，其中为了制造该太阳能电池，在至少一个半导体衬底的表面构成升高部分(24，26，28，116，118，136，138，148，150，168，220，222，224，240，242，274)，在构成升高部分后，在半导体衬底的表面上全面地或绝大面积地覆盖一个钝化层(16，98，134，158，162，246，260)，从升高部分上至少局部地去除盖在其上的钝化层材料及至少直接地或间接地在升高部分的裸露区域上及局部地在与升高部分交界的侧面(34，36，38)上的钝化层材料上设置构成导电接触的材料，其特征在于：升高部分(24，26，28，116，118，136，138，148，150，168，220，222，224，240，242，274)，不用掩膜地通过机械去除和/或半导体材料的腐蚀构成的；以及至少升高部分上的钝化层材料这样地被去除，以致构成一个高平台区域(35，37，39，140)，其侧面(34，36，38)从该平台区域的自由表面上延伸出来，并且在该平台区域中半导体材料被裸露出来。