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发明名称 Capacitor structure for field-effect transistor semiconductor memories.
摘要
申请公布号 EP0417341(B1) 申请公布日期 1994.03.02
申请号 EP19890116907 申请日期 1989.09.13
申请人 DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GMBH 发明人 BLOSSFELD, LOTHAR, DIPL.-PHYS.
分类号 H01L21/822;H01L27/04;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/108 主分类号 H01L21/822
代理机构 代理人
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