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发明名称 METHOD OF IONIC-CHEMICAL ETCHING OF SILICON DIOXIDE OR SILICON NITRIDE
摘要
申请公布号 RU867233(C) 申请公布日期 1993.07.15
申请号 SU19802929863 申请日期 1980.05.26
申请人 KRASNOZHON A.I. 发明人 KRASNOZHON A.I.
分类号 H01L21/3065;H01L21/306 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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