发明名称 |
能荷载高量客体的层状晶体材料 |
摘要 |
本发明提供了一种晶体材料及其制造方法,该材料能大量荷载摩尔比大于3的客体,并显示吉布斯自由能函数与客体浓度无关。该晶体材料属Me<SUB>y</SUB>Ch<SUB>x</SUB>类,其中Me选自Bi和Sb,Ch选自Te、Se和S,Y为1或2,Z在1至3的范围内,故此该材料的缺陷密度低得足以允许在范德瓦耳斯沟槽内,每摩尔所述材料至少层夹3摩尔锂,而并无明显晶格畸变。本发明可提供一种客体荷载高达10摩尔/摩尔主体的层夹材料。 |
申请公布号 |
CN1074249A |
申请公布日期 |
1993.07.14 |
申请号 |
CN92113391.X |
申请日期 |
1992.10.29 |
申请人 |
维克托·I·特雷菲洛夫;科尔涅伊·D·托夫斯蒂尤克;扎哈·D·科瓦里尤克;伊万·I·格里戈特切克;伊万·D·科茨米克;博丹·P·巴马蒂尤克 |
发明人 |
维克托·I·特雷菲洛夫;伊万·I·格里戈特切克;科尔涅伊·D·托夫斯蒂尤克;扎哈·D·科瓦里尤克;伊万·D·科茨米克;博丹·P·巴马蒂尤克 |
分类号 |
C30B29/46 |
主分类号 |
C30B29/46 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张志醒;马铁良 |
主权项 |
1、一种层状单晶材料,其中所说材料具有足够低的缺陷密度和合适的杂质分布,二者结合足能允许每摩尔所说材料至少层夹3摩尔的锂于范德瓦耳斯沟槽中而无明显晶格畸变,所说材料的进一步特征是△G基本上与锂层夹浓度无关。 |
地址 |
乌克兰基辅 |