发明名称 |
UNA PELICULA SEMICONDUCTORA DEPOSITADA ELECTRONICAMENTE DE MATERIAL DE FOSFORO ENLAZADO, EL METODO PARA FABRICARLA Y UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR FORMADO CON ELLA |
摘要 |
La presente invención se refiere a una película semiconductora depositada electrónicamente de un material de fósforo enlazado o encadenado formada sobre un substrato apropiado mediante deposición electrónica, caracterizada por el hecho de que comprende MPx, en donde x es igual o mayor que 15 y M es un metal alcalino. Metodo para fabricar una película delgada de fósforo enlazado, semiconductora, sobre un substrato caracterizado por la deposición electrónica de la película sobre un substrato, que comprende: proveer un objetivo de MP15; y proveer una fuente de fósforo adicional, en donde dicha película delgada comprende MPx, en que x es igual o mayor que 15 y M es un metal alcalino. |
申请公布号 |
MX169616(B) |
申请公布日期 |
1993.07.14 |
申请号 |
MX19840201846 |
申请日期 |
1984.06.29 |
申请人 |
STAUFFER CHEMICAL COMPANY |
发明人 |
ROZALIE ECHACHTER;MARCELLO VISCOGLIOSI;LEWIS ANDREW BUNZ |
分类号 |
C30B23/08;H01L21/203;H01L21/314;H01L21/3205;H01L29/51;H01L51/05;(IPC1-7):C23C14/00;H01L49/02 |
主分类号 |
C30B23/08 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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