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发明名称 IMPROVED TRENCH CAPACITOR AND DRAM MEMORY CELL
摘要
申请公布号 EP0220109(B1) 申请公布日期 1993.07.14
申请号 EP19860402222 申请日期 1986.10.07
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, INC. (A DELAWARE CORP.) 发明人 CHAN, TSIU C.;HAN, YU-PIN
分类号 H01L27/04;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;H01L29/94 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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