METHOD FOR SELECTIVELY GROWING GALLIUM-CONTAINING LAYERS,申请号US19910799269-传众专利搜索

发明名称	METHOD FOR SELECTIVELY GROWING GALLIUM-CONTAINING LAYERS
摘要
申请公布号	US5227006(A)	申请公布日期	1993.07.13
申请号	US19910799269	申请日期	1991.11.27
申请人	AT&T BELL LABORATORIES	发明人	ABERNATHY, CAMMY R.;PEARTON, STEPHEN J.;REN, FAN;WISK, PATRICK W.
分类号	C23C16/30;C30B25/14;H01L21/20;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/306;H01L21/331;H01L29/205	主分类号	C23C16/30
代理机构		代理人
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