MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTING MIS CAPACITOR AND NPN BIPOLAR TRANSISTOR OF DOUBLE POLYCRYSTALLINE SILICON STRUCTURE,申请号JP19910354731-传众专利搜索

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发明名称	MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTING MIS CAPACITOR AND NPN BIPOLAR TRANSISTOR OF DOUBLE POLYCRYSTALLINE SILICON STRUCTURE
摘要
申请公布号	JPH05175224(A)	申请公布日期	1993.07.13
申请号	JP19910354731	申请日期	1991.12.19
申请人	SONY CORP	发明人	OISHI TETSUYA
分类号	H01L27/04;H01L21/331;H01L21/822;H01L29/73;H01L29/732	主分类号	H01L27/04
代理机构		代理人
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