| 主权项 |
1﹒一种脉冲雷射装置,其中包括:一充电端子;互相 对置之第一与第二主放 电电极;一连接于该充电端子与该第一主放电电极 之间的脉冲产生电容器 ;多数个和第一与第二主放电电极之间并联连接之 尖峰电容器;以及多数 个与该等尖峰电容器并联连接之二极体,该等二极 体之方向系设定为可抑 制流经第一与第二主放电电极之间的主放电电流 之逆偏压分量。 2﹒如申请专利范围第1项之脉冲雷射装置,其中各 该第一与第二主放电电极 系杆状、单向延伸,该等尖峰电容器系散置于该第 一与第二主放电电极之 纵向上。 3﹒如申请专利范围第2项之脉冲雷射装置,其中该 第二极体系散置于该第一 与第二主放电电极之纵向上。 4﹒如申请专利范围第1项之脉冲雷射装置,复包括 一连接于该充电端子与该 第二主放电电极之间的开关。 5﹒如申请专利范围第4项之脉冲雷射装置,其中多 数个二极体系以开关打开 后不导通该等尖峰电容器之充电电流之方式连接 。 6﹒如申请专利范围第1项之脉冲雷射装置,另包括 多数个与该第二极体串联 之电阻器。 7﹒一种脉冲雷射装置,其中包括:一充电端子;互相 对置之第一与第二主放 电电极;一饱和电抗器系与该第一主放电电极之一 端连接,俾抑制流经该 第一与第二主放电电极之间的主放电电流之逆偏 压分量;多数个并联连接 于该饱和电抗器之另一端与该第二主放电电极之 间的尖峰电容器;一连接 于该饱和电抗器之另一端与该充电端子之间的脉 冲产生电容器。 8﹒如申请专利范围第1项之脉冲雷射装置,其中各 该第一与第二主放电电极 系杆状、单向延伸,该等尖峰电容器系散置于该第 一与第二主放电电极之 纵向上。 9﹒如申请专利范围第8项之脉冲雷射装置,其中该 第二极体系散置于该第一 与第二主放电电极之纵向上。 10﹒如申请专利范围第7项之脉冲雷射装置,复包括 一连接于该充电端子与 该第二主放电电极之间的开关。 11﹒如申请专利范围第7项之脉冲雷射装置,另包括 一连接于该第一与第二 主放电电极之间的稳定电路元件,俾稳定该饱和电 抗器。 12﹒如申请专利范围第11项之脉冲雷射装置,其中 该稳定电路元件系一电 阻路。 13﹒如申请专利范围第11项之脉冲雷射装置,其中 该稳定电路元件系一电 容路。 14﹒如申请专利范围第11项之脉冲雷射装置,其中 该稳定电路元件系一电 抗路。 15﹒如申请专利范围第7项之脉冲雷射装置,其中该 饱和电抗器包括一连接 至该第一主放电电极之导体板以及一环绕该导体 板之跑道型核心。 16﹒如申请专利范围第15项之脉冲雷射装置,其中 该核心系由非晶体薄带 绕成环形之多层构造。 17﹒如申请专利范围第15项之脉冲雷射装置,其中 该核心系由组合多数个 单块铁心而制成。 18﹒如申请专利范围第7项之脉冲雷射装置,其中该 饱和电抗器包括多数个 分别与该第一主放电电极连接之导体棒,以及多数 个围绕其对应导体棒 之环形铁心。 19﹒如申请专利范围第7项之脉冲雷射装置,复包括 多数个与该等尖峰电容 器并联连接之二极体,俾抑制流经该第一与第二主 放电电极之间的主放 电电流之逆偏压分量。 20﹒如申请专利范围第19项之脉冲雷射装置,其中 多数个二极体系散置于 该第一与第二主放电电极之纵向上。 21﹒如申请专利范围第19项之脉冲雷射装置,复包 括一连接于该充电端子 与该第二主放电电极之间的开关,该多数个二极体 系以开关打开后不导 通该等尖峰电容器之允电电流之方式而连接。 22﹒如申请专利范围第19项之脉冲雷射装置,另包 括多数个与该等二极体 串联连接之电阻器。图示简单说明 图1系显示依据本发明之第一实施例 之脉冲雷射装置之三维电路图; 图2系第一实施例之电路图; 图3系表示第一实施例之运作之单一 波形图; 图4系显示本发明之第二实施例之电 路图; 图5系表示第二实施例之运作之单一 波形图; 图6系第二实施例之饱和电抗器之运 作之特征曲线图; 图7系部分第二实施例之三维电路图 图8系第二实施例之另一形成的平面 图; 图9系第二实施例之其他形式的斜视 图; 图10系显示本发明之第三实施例之电 路图; 图11系表示第三实施例之运作之单一 波形图; 图12系部分第三实施例之三维电路图 图13系习用脉冲雷射装置之电路图; 图14系表示图13之脉冲雷射装置之运 作之单一波形图; |
