| 主权项 |
1﹒一种低消耗功率高稳定性迟滞比较型频率振荡 器,系包括有:一充放电电 容,其具有一电容器,其一端受充电金属一氧化物 一半导体电路控制其充 电之动作,以及受放电金属一氧化物一半导体控制 其放电;一充电金属一 氧化物一半导体电路,其状态系受回馈电路所送出 之信号所控制,以控制 电源对充放电电容之充电路径,并关掉多余之放电 电流之路径;一放电金 属一氧化物一半导体,其状态亦由回馈电路所送出 之信号所控制,以控制 充放电电容对地之放电路径,并阻绝充电时电源对 地之电流路径,并能保 证VL点电压之成立;一参考电压电路,用以提供一稳 定参考电压予电路 中之充电金屏一氧化物一半导体电路及比较器中; 一比较器,其一输入端 连接至充放电电容,另一输入端连接至参考压电路 ,以将两者作比较,其 比较之结果复由回馈电路回馈;一回馈电路,其将 比较器之输出信号回馈 至参考电压电路及放电金属一氧化物一半导体电 路中。 2﹒如申请专利范围第1项所述之低消耗功率高稳 定性迟滞比较型频率掁荡器 ,其中之充电金属一氧化物一半导体电路,系由一 ﹒充电电阻与一开关作 用的P型金属一氧化物一半导体所串联而成,其中 之金属一氧化物一半导 体之闸极系受回馈电路所送回之回馈信号所控制, 而其源极端则系连接于 充放电电容。 3﹒如申请专利范围第1项所述之低消耗功率高稳 定性迟滞比较型频率振荡器 ,其充电金属一氧化物一半导体电路系由一N型MOS 开关及一反相器所 组成,其反相器之输入端系接收回馈信号,而其输 出端则控制该N型MO S开关之闸极端。 4﹒如申请专利范围第1项所述之低消耗功率高稳 定性迟滞比较型频率掁荡器 ,其充电金属一氧化物一半导体电路为一传输闸电 路者。 5﹒如申请专利范围第1项所述之低消耗功率高稳 定性迟滞比较型频率掁荡器 ,其中之放电金属一氧化物一半导体电路系主要由 一N型放电金属一氧化 物一半导体所构成,其闸极端系受回馈电路所送回 之回馈信号所控制,汲 极端系连接于放电电容。 6﹒如申请专利范围第1项所述之低消耗功率高稳 定性迟滞比较型频率掁荡器 ,放电金属一氧化物一半导体电路为一p型MOS开关 片一反相器所组成 ,其反相器之输入端系接收回馈信号,而其输出端 则控制该p型M小开关 之闸极端。 7﹒如申请专利范围第1项所述之低消耗功率高稳 定性迟滞比较型相率掁荡器 ,其放电金属一氧化物一半导体电路为一传输闸电 路。图示简单说明: 图一为本创作之电路功能方块图; 图二为本创作参考电压电路实施之电路 图; 图三为本创作充电金属一氧化物一半导 体实施例之电路图; 图三A为本创作充电金属一氧化物一半 导体另一实施例之电路图; 图三B为本创作充电金属一氧化物一半 导体又一实施例之电路图; 图四为本创作放电金属一氧化物一半导 体实施例之电路图; 图四A为本创作放电金属一氧化物一半 导体另一实施例之电路图; 图四B为本创作放电金属一氧化物一半 导体又一实施例之电路图; 图五为本创作比较器之实施例电路图; |
