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发明名称 SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING A COMPENSATION CIRCUIT FOR DEFECT PARTS
摘要
申请公布号 KR930006127(B1) 申请公布日期 1993.07.07
申请号 KR19890014432 申请日期 1989.10.07
申请人 HITACHI LTD. 发明人 HORIGUCHI, MASASHI;ETO, JUN;AOKI, MASAKAZU;ITO, KIYOO
分类号 G11C29/00;G11C11/34;G11C11/401;G11C11/413;G11C29/04;(IPC1-7):G11C11/34 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人
主权项
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