发明名称 一种用于准分子激光刻蚀的附着式掩膜组件
摘要 本实用新型属于微电子机械系统(MEMS),涉及一种用于准分子激光刻蚀的附着式掩膜组件的改进。其目的在于解决已有技术中光学系统复杂,加工精度难以保证等问题,提供一种结构简单,成本低且适于批量生产的用于准分子激光刻蚀的附着式掩膜组件。由于掩膜吸收体是在金属层上电铸形成,厚度大于已有技术吸收体的厚度,因而可更好地保护被刻蚀件的不加工表面。由于不使用投影聚焦对准系统,通过附着在金属层上的吸收体可对被刻蚀件直接刻蚀,减小了空间结构,降低了光损失,提高了成品率及加工精度,并利用了与半导体工艺相近的加工方法,进行批量生产,提高生产效率。
申请公布号 CN2349218Y 申请公布日期 1999.11.17
申请号 CN98246769.9 申请日期 1998.11.18
申请人 中国科学院长春光学精密机械研究所 发明人 粱静秋;姚劲松
分类号 C23F4/02 主分类号 C23F4/02
代理机构 中国科学院长春专利事务所 代理人 梁爱荣
主权项 1.一种用于准分子激光刻蚀的附着式掩膜组件,包括有:掩膜吸收体1、被刻蚀件3、基座4、气隙o,其特征在于:所说的掩膜吸收体1的下端面与金属层2的上表面接触,金属层2的下表面与被刻蚀件3的上端面接触,被刻蚀件3的下端面置于基座4的表面上。
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