薄膜复合磁头

摘要

薄膜复合(MIG)的铁氧体磁头有第一和第二铁芯元件(12，14)，它们有相对的面(12A，14A)，和在相对面之间产生不可磁化缝隙的材料(30)。至少在相对面中的一个和产生不可磁化缝隙的材料之间装设一层很薄的难熔金属的屏蔽层(22，26)，和一层高磁矩材料。每个屏蔽层是由钨或钽构成，每个高磁矩材料层是由三达斯特(铁硅铝磁合金)组成。

主权项

1、一种磁头包括有第一面(12A)的第一铁芯元件(12)，有第二面(14A)的第二铁芯元件，第二面与第一面相对并间隔一定的距离，其特征是第一面上涂有厚度为50埃到150埃的难熔金属第一屏蔽层(22)，在第一屏蔽层上镀有第一高磁矩材料层(24)，在第一高磁矩材料层和第二面之间放有不可磁化缝隙材料(30)。