| 发明名称 | 聚硅氮烷的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及新型聚硅氮烷、其制备方法、将其进一步加工成含四氯化三硅的陶瓷材料的方法和该陶瓷材料本身。为了制备该聚硅氮烷，用结构式为RSiC12-NR1-SiCl2R的Si，Si1-二有机基-N-烷基-四氯-二硅氮烷与氨反应。然后可将该聚硅氮烷热解为含四氮化三硅的陶瓷材料。本发明的聚硅氮烷溶于通常的质子惰性溶剂。 | ||
| 申请公布号 | CN1021453C | 申请公布日期 | 1993.06.30 |
| 申请号 | CN88108250.3 | 申请日期 | 1988.12.02 |
| 申请人 | 赫彻斯特股份公司 | 发明人 | 迪罗·威斯;汉斯-杰尔·克来诺;玛塞鲁斯·波克特;马丁·布吕克 |
| 分类号 | C08G77/62;C04B35/58 | 主分类号 | C08G77/62 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 孙令华 |
| 主权项 | 1.一种制备聚硅氮烷的方法，该方法包括使一种或一种以上结构式为RSiC12-NR′-SiCl2R(式中R为C1～4烷基、乙烯基或苯基，R′为C1～4烷基)的Si，Si′-二有机基-N-烷基-四氯-二硅氮烷与氨在-80℃～+70℃下在溶剂中进行反应，每摩尔氯二硅氮烷至少与6.7摩尔氨反应。 | ||
| 地址 | 联邦德国法兰克福 | ||