| 发明名称 |
Process for manufacture of MOS gated device with self aligned cells |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2318685(B) |
申请公布日期 |
2002.01.02 |
| 申请号 |
GB19970022653 |
申请日期 |
1997.10.24 |
| 申请人 |
* INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
DANIEL M * KINZER |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/332;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/739;H01L29/74;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/08 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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