| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之晶片元件,其中晶粒系与 具有锡铅凸块之导线架连接。3.如申请专利范围 第1项之晶片元件,其中导线架镀有银,且导线架与 电极连接。4.如申请专利范围第1项之晶片元件,其 中导线架镀有镍,且导线架与电极连接。5.如申请 专利范围第1项之晶片元件,其中该元件包括有两 颗晶粒,每颗均具有一个金属化背面,更于金属化 背面的两侧含有源极和闸极,晶粒系与导线架上之 对应晶粒接合脚垫连接,而使导线架之导线直接与 电极连接,且其中该本体内界定了两个窗格,而晶 粒系相对本体而配置,使金属化背面紧邻对应的一 个窗格。6.如申请专利范围第5项之晶片元件,其中 晶粒接合脚垫系彼此连接。7.一种制造晶片元件 之方法,该方法包括: 配置一个具有导线之导线架; 配置一颗含有金属化背面之晶粒; 连接晶粒与导线架;以及 以本体包装晶粒,而使晶粒之金属化背面紧邻本体 内界定的一个窗格。8.如申请专利范围第7项之方 法,其更包括配置多条导线。9.如申请专利范围第8 项之方法,其更包括去除导线架上面的阻碍物、去 除导线上的铸模飞边与树脂,并将导线镀上焊锡。 10.如申请专利范围第7项之方法,其更包括在与窗 格相对的一个本体表面上加以标示。11.如申请专 利范围第10项之方法,其中该标示系以雷射进行。 12.如申请专利范围第10项之方法,其中该标示系以 墨水进行。13.如申请专利范围第7项之方法,其中 导线架配置了预先电镀之导线。14.如申请专利范 围第7项之方法,其中导线架配置了预先成形之导 线。15.如申请专利范围第7项之方法,其中导线架 配置了预电镀导线及预成形导线。16.如申请专利 范围第7项之方法,其中晶粒系透过锡铅凸块与导 线架晶粒接合脚垫及金属杆连接,且其中锡铅凸块 系经过回焊程序。17.如申请专利范围第7项之方法 ,其中导线架配置了两个a粒接合脚垫与金属杆,且 该方法更包括配置两颗晶粒,每颗均含有一个金属 化背面,并将第一颗晶粒与第一个晶粒接合脚垫及 金属杆连接,而将第二颗晶粒与第二个晶粒接合脚 垫及金属杆连接。图式简单说明: 第1A图为本发明之晶片元件的一个上平面图; 第1B图为本发明之晶片元件的一个底部正视平面 图; 第1C图为本发明之晶片元件沿第1A图之线段A-A观测 的一个截面图; 第1D图为本发明之晶片元件的一个侧正视图; 第2图为用以制造本发明之晶片元件的一个导线架 上平面图; 第3图为用以制造本发明之晶片元件的另一个导线 架上平面图; 第3A图为例示于第3图之导线架中,两颗晶粒具有共 同的一个晶粒接合脚垫之上平面图; 第4图为用以制造本发明之晶片元件的一个晶粒上 平面图; 第5图为晶粒与导线架连接并以铸模复合物包装的 一个底面图; 第6图为装有晶粒与导线架、除去阻碍物并标示于 铸模复合物上面的一个旧式复合物上平面图; 第7A图为根据本发明另一项实施例,用以制造晶片 元件的一个预电镀及预成形导线架上平面图;以及 第7B图为例示于第7A图之导线架沿线段A-A观测的一 个截面图。 |
