| 主权项 |
1.一种半导体模组,系具备有: 半导体装置,系利用绝缘性树脂将半导体元件一体 密封,在其背面上裸露出与该半导体元件电性连接 之背面电极;及 柔性板,至少具备有:复数导电图案、装设于该导 电图案端部上并供支撑与该背面电极电性连接的 垫电极的第1绝缘板、与被覆该导电图案之第2绝 缘板; 其特征在: 于该第2绝缘板上,设有裸露出该垫电极并大于该 半导体装置背面的开口部,且在该开口部中设置有 抵接于该绝缘性树脂背面至少3个位置的抵接区域 。2.如申请专利范围第1项之半导体模组,其中,该 抵接区域系由该第2绝缘板所形成。3.如申请专利 范围第2项之半导体模组,其中,该抵接区域系与该 第2绝缘板形成一体。4.如申请专利范围第1项之半 导体模组,其中,该抵接区域系由与不同于该第2绝 缘板之材料所形成。5.一种半导体模组,系具备有: 半导体装置,以绝缘性树脂将半导体元件一体密封 ,并在其背面上,与该半导体元件电性连接之背面 电极,系在与该绝缘性树脂背面相对面位置上裸露 ,或较背面更凹陷地裸露,且设在该半导体元件下 面的岛区,则在与该绝缘性树脂背面相对面之位置 上裸露,或较背面更凹陷地裸露;及 柔性板,至少具备有复数导电图案、装设于该导电 图案端部上并供支撑与该背面电极电性连接的垫 电极的第1绝缘板、与被覆该导电图案之第2绝缘 板; 其特征在: 在上述第2绝缘板上,设有裸露出该垫电极并大于 半导体装置背面的第1开口部;在该第1绝缘板上,设 有由该第1绝缘板背面裸露该岛区的第2开口部; 在该第1开口部与该第2开口部之间,设有与该绝缘 性树脂背面之至少有3个位置相抵接的抵接区域。 6.如申请专利范围第5项之半导体模组,其中,该抵 接区域系由该第2绝缘板所形成。7.如申请专利范 围第6项之半导体模组,其中,该抵接区域系与该第2 绝缘板形成一体。8.如申请专利范围第5项之半导 体模组,其中,该抵接区域系由与不同于该第2绝缘 板之材料所形成。9.如申请专利范围第5至8项中任 一项之半导体模组,其中,在该第1绝缘板背面上贴 合有散热基板,以填塞该第2开口部,且使该散热基 板与该岛区形成热结合。10.如申请专利范围第9项 之半导体模组,其中,在该散热基板的第1面上,在最 上层形成以Cu、Ag或Au为主材料并由电镀所形成的 第1金属被覆膜,该第1金属被覆膜与该岛区,系利用 焊材、导电糊、或热导性良好的固接材料予以固 接(或相接)。11.如申请专利范围第9项之半导体模 组,其中该散热基板之第1面与该岛区系利用焊材 、导电糊、或热导性良好的固接材料固接(或相接 )。12.如申请专利范围第5至8项中任一项之半导体 模组,其中,在该第1绝缘板背面上贴合有散热基板, 以填塞该第2开口部,并在该散热基板与该岛区之 间固接以Cu为主成分的金属板。13.如申请专利范 围第12项之半导体模组,其中,该岛区与该金属板系 由相同材料所形成。14.如申请专利范围第12项之 半导体模组,其中,该散热基板与该金属板系由相 同材料一体形成。15.一种半导体模组,系具备有: 半导体装置,利用正面法(face up)或倒装法(face down), 以绝缘性树脂将半导体元件一体密封,在其背面上 ,与该半导体元件之接合电极电性连接的背面电极 ,系裸露于与该绝缘性树脂背面相对面之位置上, 或较背面更凹陷地裸露出,且设在该半导体元件下 面的岛区,则位于与该绝缘性树脂背面相对面之位 置上,或较背面更凹陷地裸露;及 柔性板,至少具备有:复数导电图案、装设于该导 电图案端部上并供支撑与该背面电极电性连接之 垫电极的第1绝缘板、与被覆该导电图案之第2绝 缘板; 其特征在: 在该第2绝缘板上,设有裸露该垫电极并大于该半 导体装置背面的第1开口部,且在该第1绝缘板背面 上,设有供贴合于对应该岛区区域之散热基板裸露 的第2开口部; 在该第1开口部与该第2开口部之间,设置有抵接该 绝缘性树脂背面之至少3个位置的抵接区域,该抵 接区域与该绝缘性树脂背面相接,该岛区则与该散 热基板形成热结合。16.如申请专利范围第15项之 半导体模组,其中,该背面电极之侧面及由该背面 电极侧面延伸的该绝缘性树脂背面,系形成相同曲 面。17.如申请专利范围第15项或第16项之半导体模 组,其中,该半导体元件系采用硬碟读写放大用IC。 18.一种半导体模组的制造方法,其步骤包括: 准备半导体装置与柔性板,其中,该半导体装置系 以绝缘性树脂将半导体元件一体密封,并在其背面 上,使设置在与该半导体元件电性连接的背面电极 及半导体元件下方的岛区裸露;该柔性板系至少具 备有:复数导电图案、装设于该导电图案端部上并 供支撑电性连接于该背面电极的垫电极及固接于 该岛区之岛状电极的第1绝缘板、与被覆该导电图 案之第2绝缘板,而在该第2绝缘板上设有裸露该垫 电极与该岛状电极,并大于该半导体装置背面的开 口部; 将垫电极与该背面电极电性连接,同时透过设在该 半导体装置下方的间隔构件而安装该半导体装置; 及 透过由该半导体装置周围裸露的该开口部,清洗由 该间隔构件所形成的间隙。19.一种半导体模组之 制造方法,其步骤包括: 准备半导体装置与柔性板,其中,该半导体装置系 以绝缘性树脂将半导体元件一体密封,并在其背面 上,使与该半导体元件电性连接的背面电极裸露; 而该柔性板至少具备有:复数导电图案、装设于该 导电图案端部上并供支撑电性连接于该背面电极 的垫电极的第1绝缘板、与被覆该导电图案之第2 绝缘板,且在该第2绝缘板上设有裸露该垫电极,并 大于该半导体装置背面的开口部; 将垫电极与该背面电极电性连接,同时透过与该第 1绝缘板一体设置的抵接区域,在背面设置间隙,并 安装该半导体装置;及 透过由该半导体装置周围裸露的该开口部,清洗该 半导体装置背面的间隙。20.一种半导体模组之制 造方法,其步骤包括: 准备半导体装置与柔性板,其中,该半导体装置系 以绝缘性树脂将半导体元件一体密封,并使设于半 导体元件下方的岛区与电性连接于该半导体元件 上的背面电极裸露;而该柔性板系至少具备有:复 数导电图案、装设于该导电图案端部上并供支撑 电性连接于该背面电极的垫电极且使贴合于背面 之散热基板裸露的第1绝缘板、与被覆该导电图案 之第2绝缘板,而在该第2绝缘板上,设有裸露该垫电 极与该散热基板,并大于该半导体装置背面的开口 部; 将垫电极与该背面电极电性连接,同时使该岛区与 该散热基板形成热结合,并透过设置于该绝缘性树 脂背面至少3个位置上的抵接区域而在背面设置间 隙,并安装该半导体装置;及 透过由该半导体装置周围裸露出的该开口部,清洗 该半导体装置背面的间隙。21.如申请专利范围第 18至20项中任一项之半导体模组之制造方法,其中, 系在该洗净后,在半导体装置背面填充底填料(under fill)者。图式简单说明: 第1图(A)、(B)系说明本发明半导体模组之示意图。 第2图(A)至(C)系第1图的部分放大图。 第3图系第2图的变化例示意图。 第4图(A)至(D)系第2图的变化例示意图。 第5图(A)至(C)系说明散热基板、形成于其上的金属 被覆膜之示意图。 第6图(A)、(B)系说明本发明半导体装置的示意图。 第7图(A)、(B)系说明本发明半导体装置的示意图。 第8图(A)至(C)系说明本发明半导体装置的示意图。 第9图系说明本发明半导体模组的示意图。 第10图(A)、(B)系说明本发明半导体装置的示意图 。 第11图(A)、(B)系说明本发明半导体装置的示意图 。 第12图(A)至(C)系说明本发明半导体装置的示意图 。 第13图系说明本发明半导体模组的示意图。 第14图系说明本发明半导体装置的示意图。 第15图系说明本发明半导体装置的示意图。 第16图系说明本发明半导体装置之制造方法的示 意图。 第17图系说明本发明半导体装置之制造方法的示 意图。 第18图系说明本发明半导体装置之制造方法的示 意图。 第19图系说明本发明半导体装置之制造方法的示 意图。 第20图系说明本发明半导体装置之制造方法的示 意图。 第21图系说明本发明半导体装置之制造方法的示 意图。 第22图系说明本发明半导体装置之制造方法的示 意图。 第23图系说明本发明半导体装置之制造方法的示 意图。 第24图(A)、(B)系说明本发明半导体模组的示意图 。 第25图系说明硬碟的示意图。 第26图(A)、(B)系说明第25图中所采用之习知半导体 模组的示意图。 第27图系说明习知半导体模组的示意图。 |
