发明名称 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE INYECCION DOBLE
摘要 La presente invención se refiere a un dispositivo electrónico, de estado sólido, el cual comprende: un primero y segundo electrodos y un cuerpo de material semiconductor, dispuesto para formar una trayectoria de corriente entre el primero y segundo electrodos; un elemento para la inyección de portadores ambipolares dentro de la trayectoria de corriente, en respuesta a un voltaje aplicado externamente, caracterizado por: un elemento de campo eléctrico, para ejercer un campo eléctrico substancialmente por toda la longitud de dicha trayectoria de corriente, para aumentar el flujo de la corriente ambipolar en dicha trayectoria de corriente, este campo eléctrico ejercido siendo distinto del campo eléctrico inducido por dicho voltaje aplicado.
申请公布号 MX169134(B) 申请公布日期 1993.06.23
申请号 MX19860003263 申请日期 1986.07.25
申请人 ENERGY CONVERSION DEVICES, INC. 发明人 WOLODYMYR CZUBATYJ;MICHAEL SHUR;MICHAEL G. HACK
分类号 H01L27/092;H01L29/739;H01L29/772;H01L29/812;H01L33/00;H01L33/18;H01S5/042;H01S5/062;(IPC1-7):H01L29/73 主分类号 H01L27/092
代理机构 代理人
主权项
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