| 发明名称 | 半导体基体材料的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体基体材料的制作方法，包括步骤：使硅基体形成多孔性，在其上以第一种温度形成非多孔性硅单晶层，将该非多孔性硅单晶层表面贴合在表面上有绝缘物的另一基体上，用化学腐蚀方法腐蚀该贴合的基础上多孔性硅而除去多孔性硅，以高于第一温度的第二温度在通过外延生长在上述非多孔性硅单晶层上形成单晶硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN1073550A | 申请公布日期 | 1993.06.23 |
| 申请号 | CN92108981.3 | 申请日期 | 1992.07.31 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 市川武史;米原隆夫;坂口清文 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/72 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 姜华 |
| 主权项 | 1、半导体基体材料的制作方法，特征是：该方法包括使硅基体形成多孔性的工序；在该形成了多孔性硅基体上用第一种温度形成非多孔性硅单晶层的工序；将该非多孔性硅单晶层的表面贴合在表面上有绝缘物的另一个基体上的工序；用化学腐蚀方法将该贴合后的基体上的上述多孔性硅除去的多孔性硅的腐蚀工序；以及用比上述第一种温度高的第二种温度，在上述排多孔性硅单晶层上，通过外延生长形成单晶硅层的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||