发明名称 METHOD FOR MAKING LOW DEFECT DENSITY SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE AND DEVICES MADE THEREBY
摘要
申请公布号 US5221413(A) 申请公布日期 1993.06.22
申请号 US19910690429 申请日期 1991.04.24
申请人 AT&T BELL LABORATORIES 发明人 BRASEN, DANIEL;FITZGERALD, JR., EUGENE A.;GREEN, MARTIN L.;XIE, YA-HONG
分类号 H01L21/20;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/335;H01L21/8258;H01L27/15;H01L33/00;H01L33/38;H01L33/40 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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