| 主权项 |
1.一种薄膜电容元件用组合物,具有c轴对于基板面呈实质垂直地进行配向之铋层状化合物,其特征在于:前述铋层状化合物系藉由组成式:(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-或Bi2Am-1 BmO3m+3所表示,前述组成式中之记号m系奇数,记号A系由Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca及Bi所选出之至少一种元素,记号B系由Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo及W所选出之至少一种元素,并且,前述铋层状化合物之Bi及/或A之至少一部分系藉由稀土类元素(由Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu所选出之至少一种元素)所置换,相对于Bi及A之合计莫尔数(m+1)而使得前述稀土类元素之置换莫尔数系大于1.0及2.8以下。2.如申请专利范围第1项之薄膜电容元件用组合物,其中,前述铋层状化合物之Bi系相对于前述组成式:(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-或Bi2Am-1 BmO3m+3而过剩地含有,其Bi之过剩含有量系以Bi换算而成为0<Bi<0.6m莫尔之范围。3.如申请专利范围第1或2项之薄膜电容元件用组合物,其中,前述组成式中之记号m系m=3。4.如申请专利范围第3项之薄膜电容元件用组合物,其中,在前述稀土类元素表示成为Re而前述铋层状化合物表示成为Bi4-xRexTi3O12之状态下,前述x系1<x≦2.8。5.如申请专利范围第1或2项之薄膜电容元件用组合物,其中,前述组成式中之记号m系m=5。6.如申请专利范围第5项之薄膜电容元件用组合物,其中,在前述稀土类元素表示成为Re而前述铋层状化合物表示成为Bi4-xA2RexTi5O18之状态下,前述x系1<x≦2.8。7.如申请专利范围第1项之薄膜电容元件用组合物,其中,前述稀土类元素系由La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd所选出之至少一种元素。8.一种薄膜电容元件,在基板上依序地形成下部电极、介电质薄膜及上部电极,其特征在于:前述介电质薄膜系藉由申请专利范围第1项所述之薄膜电容元件用组合物而构成。9.如申请专利范围第8项之薄膜电容元件,其中,前述介电质薄膜之厚度系1-1000nm。10.一种薄膜层积电容,在基板上交互地层积复数个之介电质薄膜和内部电极薄膜,其特征在于:前述介电质薄膜系藉由申请专利范围第1项所述之薄膜电容元件用组合物而构成。11.如申请专利范围第10项之薄膜层积电容,其中,前述介电质薄膜之厚度系1-1000nm。12.一种高介电率绝缘膜,具有c轴对于基板面呈实质垂直地进行配向之铋层状化合物,其特征在于:该铋层状化合物系藉由申请专利范围第1项所述之薄膜电容元件用组合物而构成。13.一种薄膜电容元件之制造方法,用以制造申请专利范围第8项所述之薄膜电容元件,其特征在于包括:在前述下部电极上形成前述介电质薄膜时,将用以构成前述薄膜电容元件用组合物之溶液,涂敷在前述下部电极之表面,形成涂敷膜之涂敷制程;以及烧成前述下部电极上之涂敷膜而成为介电质薄膜之烧成制程。14.如申请专利范围第13项之薄膜电容元件之制造方法,其中,在前述涂敷膜形成于前述下部电极之表面后,乾燥前述涂敷膜,然后,在该涂敷膜并无结晶化之温度,假烧前述涂敷膜,接着,烧成前述涂敷膜。15.如申请专利范围第13项之薄膜电容元件之制造方法,其中,重复地进行在乾燥前述涂敷膜后,在该乾燥后之涂敷膜上,还形成其他之涂敷膜,乾燥该涂敷膜之制程;得到要求膜厚之涂敷膜,然后,烧成该涂敷膜。16.如申请专利范围第13项之薄膜电容元件之制造方法,其中,重复地进行在乾燥及假烧前述涂敷膜后,在该假烧后之涂敷膜上,还形成其他之涂敷膜,乾燥及假烧该涂敷膜之制程;得到要求膜厚之涂敷膜,然后,烧成该涂敷膜。17.如申请专利范围第13项之薄膜电容元件之制造方法,其中,重复地进行乾燥及假烧前述涂敷膜,然后,进行烧成之制程;得到要求膜厚之介电质薄膜。18.如申请专利范围第13项之薄膜电容元件之制造方法,其中,烧成前述涂敷膜之温度系成为前述涂敷膜之结晶化温度之500-1000℃。19.如申请专利范围第14至18项中任一项之薄膜电容元件之制造方法,其中,乾燥前述涂敷膜之温度系室温-400℃。20.如申请专利范围第14、16、17或18项之薄膜电容元件之制造方法,其中,假烧前述涂敷膜之温度系200-700℃。21.如申请专利范围第13项之薄膜电容元件之制造方法,其中,对于在烧成前之未烧成之前述涂敷膜之膜厚,重复地进行涂敷、乾燥及/或假烧而使得在烧成后之膜厚成为200nm以下。22.如申请专利范围第13项之薄膜电容元件之制造方法,其中,在形成前述介电质薄膜后,在前述介电质薄膜上,形成上部电极,然后,在空气中或氧气氛中,进行热处理。图式简单说明:图1A系显示本发明之某一实施形态之薄膜电容之制造过程之概略剖面图。图1B系显示接续于图1A之薄膜电容之制造过程之概略剖面图。图2系显示图1A及图1B所示之薄膜电容之制造过程之流程图。图3系本发明之其他实施形态之薄膜层积电容之概略剖面图。图4系显示本发明之实施例1之薄膜电容之介电质薄膜之测定温度和电容变化率C/C间之关系之图形。图5系显示本发明之实施例1之薄膜电容之介电质薄膜之x値(La量)和居里点间之关系之图形。图6系显示本发明之实施例1之薄膜电容之介电质薄膜之x値(La量)和介电损失间之关系之图形。图7系显示本发明之实施例1之薄膜电容之介电质薄膜之x値(La量)和电场依附性及频率依附性间之关系之图形。图8系显示本发明之实施例2之薄膜电容之介电质薄膜之测定温度和电容变化率C/C间之关系之图形。图9系显示本发明之实施例2之薄膜电容之介电质薄膜之x値(La量)和介电损失间之关系之图形。图10系显示本发明之实施例2之薄膜电容之介电质薄膜之x値(La量)和电场依附性及频率依附性间之关系之图形。 |
