发明名称 可预先测试效能之晶片制作流程及其测试方法
摘要 本发明系有关于一种晶片之制作流程,尤指一种可预先测试效能之晶片制作流程及其测试方法,其主要系于晶片之设计完成后,先利用一模拟环境测试该晶片之设计是否能正确执行其动作,确定设计无误后,再于该模拟环境中执行至少一组预设之测试命令,分别记录该等测试命令中第一个命令发出的时间及最后一个命令完成之时间,藉以模拟分析该晶片设计之效能,并可比较可达到同样功效之不同设计间,完成同一组测试命令所需时间的差异,而可得到最佳之晶片设计,最后才进行实际之生产,可减少产品测试之时程并降低生产成本者。
申请公布号 TWI261297 申请公布日期 2006.09.01
申请号 TW091109051 申请日期 2002.05.01
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 温福助;韩宜杰;萧进发
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 张秀夏 台北市大安区敦化南路2段38号9楼
主权项 1.一种可预先测试效能之晶片制作流程,其主要系包含有下列步骤:提供一晶片之设计;利用一模拟环境测试该晶片之设计是否正确;利用一效能测试程序分析该晶片之效能;及进行实际之生产。2.如申请专利范围第1项所述之制作流程,其中该效能测试程序系包含有下列步骤:提供至少一组测试命令;及执行该等测试命令,并计算完成该等测试命令所需之时间。3.如申请专利范围第2项所述之制作流程,其中该效能测试程序尚可包含有下列步骤:记录该等测试命令中第一个命令发出之时间;及记录该等测试命令中最后一个命令完成之时间。4.如申请专利范围第1项所述之制作流程,其中该模拟环境系为一软体模拟环境者。5.如申请专利范围第4项所述之制作流程,其中该软体模拟环境包含有一中央处理器模组、一主控制模组、及一记忆体模组。6.如申请专利范围第5项所述之制作流程,其中该软体模拟环境尚可包含有一储存装置模组。7.如申请专利范围第5项所述之制作流程,其中该主控制模组系可包含有一北桥模组及一南桥模组。8.如申请专利范围第5项所述之制作流程,其中该软体模拟环境尚可包含有显示模组、PCI装置模组、USB装置模组、其他周边装置及其组合式之其中之一。9.如申请专利范围第1项所述之制作流程,其中该效能测试程序系可以一软体程序完成者。10.一种模拟测试晶片效能之方法,其主要实施步骤系包含有:提供一对应该晶片设计之模拟环境;提供至少一组测试命令;执行该等测试命令;及计算完成该等测试命令所需之时间。11.如申请专利范围第10项所述之测试方法,其中该模拟环境系为一软体模拟环境。12.如申请专利范围第10项所述之测试方法,尚可包含有下列步骤:记录该等测试命令中对应于一特定功能之第一个命令发出之时间;及记录该等测试命令中对应该特定功能之最后一个命令完成之时间。13.如申请专利范围第10项所述之测试方法,尚可包含有下列步骤:提供与该晶片功能相同之第二晶片设计;对该第二晶片设计执行该等测试命令;计算完成该等测试命令所需之时间;及比较该晶片设计与该第二晶片设计完成该等测试命令所需之时间。14.如申请专利范围第11项所述之测试方法,其中该软体模拟环境系包含有一中央处理器模组、一主控制模组、及一记忆体模组。15.如申请专利范围第14项所述之测试方法,其中该软体模拟环境尚可包含有一储存装置模组。16.如申请专利范围第14项所述之测试方法,其中该主控制模组系可包含有一北桥模组及一南桥模组。17.如申请专利范围第14项所述之测试方法,其中该软体模拟环境尚可包含有显示模组、PCI装置模组、USB装置模组、其他周边装置及其组合式之其中之一。图式简单说明:第1图:系习用晶片制作及其效能测试之流程图;第2图:系本发明制作流程一较佳实施例之流程图;第3图:系本发明测试晶片效能一较佳实施例之流程图;及第4图:系本发明测试晶片效能时模拟环境之方块示意图。
地址 台北县新店市中正路533号8楼