| 发明名称 | 用于化学机械抛光的水分散体和半导体设备的生产方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于化学机械抛光的水分散体。通过它，即使对具有低机械强度绝缘体的待抛光器件也能减少划痕，铜膜和阻挡金属膜都能得到高效抛光，并在不过度抛光绝缘体的情况下，得到具有高精确度且足够平整的精加工表面，本发明还提供了半导体设备的生产方法。用于化学机械抛光的水分散体包括磨料颗粒，其中磨料颗粒包括(A)由选自于无机颗粒和有机颗粒中的至少一种组成的简单颗粒和(B)复合颗粒。简单颗粒(A)优选由无机颗粒组成，复合颗粒(B)优选由通过有机颗粒与无机颗粒整体结合而形成的无机有机复合颗粒组成。半导体设备的生产方法包括使用抛光用水分散体对半导体材料待抛光表面进行抛光的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1290961C | 申请公布日期 | 2006.12.20 |
| 申请号 | CN03151489.8 | 申请日期 | 2003.08.01 |
| 申请人 | JSR株式会社 | 发明人 | 金野智久;元成正之;服部雅幸;川桥信夫 |
| 分类号 | C09K3/14(2006.01);H01L21/302(2006.01);B24B1/00(2006.01);B24B37/00(2006.01) | 主分类号 | C09K3/14(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 任宗华 |
| 主权项 | 1、包含磨料颗粒的用于化学机械抛光的水分散体，该用于化学机械抛光的水分散体用在主要对阻挡金属膜进行抛光的抛光处理中，其中磨料颗粒包括：(A)由选自于无机颗粒和有机颗粒中的至少一种组成的简单颗粒，和(B)复合颗粒；其中全部磨料颗粒的总含量为0.11-20质量％，简单颗粒(A)的含量为0.1-19.99质量％，复合颗粒(B)的含量为0.01-19.9质量％，其中在相同条件下对铜膜和阻挡金属膜进行抛光的情况下，由阻挡金属膜去除速率RBM与铜膜去除速率RCu之比表示的特定去除速率比RBM/RCu为0.5-60。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||