| 发明名称 | Cu－Ni－Si合金及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种兼具高强度及高导电性的电子材料用Cu-Ni-Si合金，其特征在于，在含有1.0～4.5质量％(以下为％)的Ni、0.25～1.5％的Si、其余是由Cu及不可避免的杂质构成的铜基合金中，在Ni和Si的质量浓度为[Ni]、[Si]时，Ni与Si的质量浓度比(以下为[Ni]/[Si])为4～6、并且是使(式1)所定义的x为0.1～0.45的[Ni]、[Si]，([Ni]-4x)<SUP>2</SUP>([Si]-x)＝1/8……(式1)。 | ||
| 申请公布号 | CN1291052C | 申请公布日期 | 2006.12.20 |
| 申请号 | CN200410036828.9 | 申请日期 | 2004.04.19 |
| 申请人 | 日矿金属株式会社 | 发明人 | 石川泰靖;新见寿宏;波多野隆绍 |
| 分类号 | C22C9/06(2006.01) | 主分类号 | C22C9/06(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 胡强;杨松龄 |
| 主权项 | 1.一种兼具高强度及高导电性的Cu-Ni-Si合金，其特征在于， 在含有1.0～4.5质量％(以下为％)的Ni、0.25～1.5％的Si、其余 是由Cu及不可避免的杂质构成的铜基合金中，在Ni和Si的质量浓度 为[Ni]、[Si]时，Ni与Si的质量浓度比(以下为[Ni]/[Si])为4～ 6，并且是使(式1)所定义的x为0.1～0.45的[Ni]、[Si]， ([Ni]-4χ)<sup>2</sup>([Si]-χ)＝1/8......(式1)。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||