发明名称 |
微细间距倒装焊凸点电镀制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一系列新工艺用以通过电镀方法,制备可用于半导体封装,具有微细间距、良好可靠性的焊球。本发明所采用的新工艺技术可适用于不同组分的电镀铅-锡合金焊料、无铅的锡基焊料(如:铜-锡、锡-铜-银、锡-银、锡-铋合金)等。其工艺能够满足焊球边间距50微米以上,焊球直径在50至300微米的需求。在本发明中,通过采用凸点回流控制层,避免了工艺过程中焊料的损失,从而能够制备微细间距和高可靠性焊球。通过对关键工艺和电镀金属层的控制,以调整电镀层微观结构,本发明能够制备用于倒装焊封装的高可靠性焊球。本发明同时应用特殊设计涂覆光胶构件和光刻工艺,以满足微细间距电镀凸点的工艺制备要求。 |
申请公布号 |
CN1291069C |
申请公布日期 |
2006.12.20 |
申请号 |
CN03140656.4 |
申请日期 |
2003.05.31 |
申请人 |
香港科技大学 |
发明人 |
陈正豪;肖国伟 |
分类号 |
C25D7/12(2006.01);H01L23/02(2006.01) |
主分类号 |
C25D7/12(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
章社杲 |
主权项 |
1.一种可用于半导体封装的、制备在晶片上钝化层(2)开孔处互连金属层(3)上的焊球的方法,包括以下步骤:a)在晶片(1)表面沉积作为凸点下金属层(6);b)在凸点下金属层(6)上涂覆凸点回流控制层(9,13);c)运用半导体光刻技术或浮脱工艺,形成凸点回流控制层(9,13)上的图形,以在金属互连层(3)上形成用于露出凸点下金属层(6)的开孔(10);d)在凸点回流控制层(9,13)上制备一个绕开孔(10)周围覆盖的电镀掩膜用厚光胶(14);e)在开孔(10)处进行电镀,形成凸点下金属层(6)上的电镀铜层(5);f)在电镀铜层(5)进行焊料(15)形成的电镀工艺;g)除去电镀掩膜用厚光胶(14),根据焊料成分决定回流温度曲线和时间,进行回流工艺,从而焊料能够形成焊球(4);h)除去凸点回流控制层(9,13);i)刻蚀去除部分凸点下金属层(6)。 |
地址 |
香港九龙清水湾 |