发明名称 |
HEAT TREATMENT METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
摘要 |
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申请公布号 |
JPH05152309(A) |
申请公布日期 |
1993.06.18 |
申请号 |
JP19910310601 |
申请日期 |
1991.11.26 |
申请人 |
TOSHIBA CERAMICS CO LTD |
发明人 |
MORISHIMA KAZUHIRO;YOSHIKAWA ATSUSHI |
分类号 |
H01L21/20;H01L21/31;H01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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