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发明名称 MANUFACTURE OF INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH05152570(A) 申请公布日期 1993.06.18
申请号 JP19910291111 申请日期 1991.11.07
申请人 FUJITSU LTD 发明人 GOTO HIROSHI
分类号 H01L27/12;H01L29/78;H01L29/786 主分类号 H01L27/12
代理机构 代理人
主权项
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