| 主权项 |
1.一种CMP研磨剂,其特征为:其含有氧化铈粒子、分 散剂、水溶性高分子以及水,且上述水溶性高分子 为使用阳离子性偶氮化合物以及其盐中至少一种 作为聚合引发剂,而使含有具有不饱和双键之羧酸 以及其盐中至少一种的单体聚合所形成之聚合物, 其中上述氧化铈粒子之添加量,相对于CMP研磨剂100 重量份,为0.1重量份以上5重量份以下,且上述分散 剂之添加量,相对于氧化铈粒子100重量份,为0.01重 量份以上10重量份以下,并且上述水溶性高分子之 添加量,相对于CMP研磨剂100重量份,为0.01重量份以 上5重量份以下。 2.如申请专利范围第1项所述之CMP研磨剂,其中上述 水溶性高分子之重量平均分子量为200以上50000以 下。 3.如申请专利范围第1项所述之CMP研磨剂,其中上述 氧化铈粒子之平均粒径为1 nm以上400 nm以下。 4.如申请专利范围第1项或第2项所述之CMP研磨剂, 其中pH値为4.5以上6.0以下。 5.一种基底之研磨方法,其特征为:将形成有被研磨 膜之基底推压至研磨盘之研磨布上而施以加压,并 一面将申请专利范围第1项至第2项所记载之任一 项之CMP研磨剂供给于被研磨膜与研磨布之间,一面 相对移动基底与研磨盘并对被研磨膜加以研磨,并 且施加于上述基底上之压力为100 kPa以下。 6.一种CMP研磨剂用添加液,其特征为:其含有聚合物 以及水,且上述聚合物为使用阳离子性偶氮化合物 以及其盐中至少一种作为聚合引发剂,而使含有具 有不饱和双键之羧酸以及其盐中至少一种的单体 聚合所形成者。 |
