| 主权项 |
1.一种光学元件,其特征为,是由: 透明基体;和 被成膜在该透明基体之表面上的多层构造之介电 体膜,和被成膜在前记多层构造之介电体膜的一部 份层上的所定膜厚之透明导电性薄膜所构成的多 层膜所成。 2.如申请专利范围第1项所记载之光学元件,其中, 前记透明导电性薄膜是被形成在前记多层构造之 介电体膜的最外层。 3.如申请专利范围第1或2项所记载之光学元件,其 中, 在前记透明导电性薄膜更外层侧形成有薄膜; 前记薄膜的膜厚在150nm以下。 4.如申请专利范围第1或2项所记载之光学元件,其 中, 在前记透明导电性薄膜更外层侧形成有薄膜; 前记薄膜的相对介电常数在20以下。 5.如申请专利范围第1或2项所记载之光学元件,其 中, 在前记透明导电性薄膜更外层侧形成有薄膜; 前记薄膜的膜厚在150nm以下,且前记薄膜的相对介 电常数在20以下。 6.如申请专利范围第1或2项所记载之光学元件,其 中, 被形成在前记透明导电性薄膜更外层侧的薄膜,是 由含氟成份的物质,或含矽成份的物质,或至少含 有这些物质之任一种的混合材料所成。 7.如申请专利范围第1或2项所记载之光学元件,其 中, 被形成在前记透明导电性薄膜更外层侧的薄膜,是 由:氧化矽、或氟化镁、或氟化钙、或至少含有这 些之中之任一者的混合材料所成。 8.如申请专利范围第1或2项所记载之光学元件,其 中, 被形成在前记透明导电性薄膜更外层侧的薄膜,是 由单层或复数层所成。 9.如申请专利范围第1或2项所记载之光学元件,其 中, 前记透明导电性薄膜的膜厚为5~20nm。 10.如申请专利范围第9项所记载之光学元件,其中, 前记透明导电性薄膜,是由ITO、FTO、ATO,或金、银 、铜、铝,或至少含有这些材料之中的任一者的混 合材料所成。 11.如申请专利范围第1项所记载之光学元件,其中, 前记多层膜,系至少被形成在搭载前记光学元件之 装置的有效口径内。 12.如申请专利范围第1项所记载之光学元件,其中, 更于前记透明基体的另一面上,形成了由多层构造 之介电体膜、和被成膜在前记多层构造之介电体 膜的一部份层上的所定膜厚之透明导电性薄膜所 构成的多层膜。 13.一种镜头镜筒,系属于在镜筒中保持有光学元件 的镜头镜筒,其特征为, 前记光学元件,系由:透明基体;和被成膜在该透明 基体之表面上的多层构造之介电体膜,和被成膜在 前记多层构造之介电体膜的一部份层上的所定膜 厚之透明导电性薄膜所构成的多层膜所成。 14.一种摄像装置,系属于在光路上配置有光学元件 及摄像元件的摄像装置,其特征为, 前记光学元件,系由:透明基体;和被成膜在该透明 基体之表面上的多层构造之介电体膜,和被成膜在 前记多层构造之介电体膜的一部份层上的所定膜 厚之透明导电性薄膜所构成的多层膜所形成。 15.如申请专利范围第14项所记载之摄像装置,其中, 前记光学元件,系被安装在前记摄像装置的可动部 。 16.如申请专利范围第15项所记载之摄像装置,其中, 前记可动部,系令前记光学元件在光轴方向上移动 的缩胴型构造。 17.一种电子机器,系属于令在机器内部所形成的光 ,穿透过被配置在光路上的光学元件而显示资讯的 电子机器,其特征为, 前记光学元件,系由:透明基体;和被成膜在该透明 基体之表面上的多层构造之介电体膜,和被成膜在 前记多层构造之介电体膜的一部份层上的所定膜 厚之透明导电性薄膜所构成的多层膜所形成。 18.如申请专利范围第17项所记载之电子机器,其中, 令前记机器内部所形成的光,穿透过前记光学元件 而投影在屏幕上。 图式简单说明: [图1]搭载了本发明所致之光学元件的照相机例(1) 。 [图2]本发明之一实施形态所述之光学元件之构成 的概略剖面图。 [图3]本发明之其他实施形态所述之光学元件之构 成的概略剖面图。 [图4]本发明所论之杂屑附着改善量的测定方法的 说明图。 [图5]本发明所论之杂屑附着改善量的测定结果(1) 的线图。 [图6]本发明所论之杂屑附着改善量的测定结果(2) 的线图。 [图7]本发明所致之透明导电性薄膜的膜厚与反射 率特性的线图。 [图8]本发明所致之透明导电性薄膜上成膜有MgF2时 的反射率特性的线图。 [图9]本发明之又一其他实施形态所述的光学元件 的概略斜视图。 [图10]用来说明图9之光学元件的图。 [图11]搭载了本发明所致之光学元件的照相机例(2) 。 [图12]搭载了本发明所致之光学元件的投影机例。 |
