发明名称 METHOD OF ENHANCING THE PERFORMANCE OF A MAGNETRON SPUTTERING TARGET.
摘要 Un champ magnétique renfermant un plasma (202, 302) est produit sur toute la région de pulvérisation (105, 106) d'une cible de pulvérisation (40) avec une ligne de champ critique (202b, 302b) qui détermine la forme du plasma (204, 304). La ligne de champ critique s'aplatit progressivement tout au long de la vie de la cible en même temps que celle-ci s'érode. L'aimant (51, 52) comporte de préférence des pôles (57, 61, 65) espacés autour de la partie de la cible située au-dessous de la région de pulvérisation pour produire un champ magnétique qui s'aplatit en même temps que sa force diminue. Une source d'énergie régulée (122) maintient un niveau de puissance régulé qui augmente au fur et à mesure de l'érosion de la cible pour conserver une cadence de dépôt constante. La tension fournie par la source d'énergie se maintient à un niveau constant ou au-dessus dudit niveau, en diminuant progressivement le courant alimentant un éléctro-aimant (52, 54) pour réduire progressivement la force du champ et aplatir ce dernier. Comme résultat de l'invention, la gorge formée par l'érosion de la cible s'élargit et la quantité de tranches recouvertes par la cible pendant sa durée de vie est augmentée.
申请公布号 EP0546052(A1) 申请公布日期 1993.06.16
申请号 EP19910916025 申请日期 1991.08.22
申请人 MATERIALS RESEARCH CORPORATION 发明人 HURWITT, STEVEN, D.;ARONSON, ARNOLD, J.;VAN NUTT, CHARLES
分类号 C23C14/34;C23C14/35;H01J37/34 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人
主权项
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