| 主权项 |
1.一种透明薄膜二氧化钛光触媒,其特征为形成薄 膜之二氧化钛光触媒之晶粒大小为5nm至50nm,吸光 波长峰値为200nm至300nm之区域,膜厚为0.1至1.0微米 者。 2.如申请专利范围第1项之光触媒,其中形成薄膜之 二氧化钛之晶形为纺锤形结晶与立方形结晶之混 合状态者。 3.如申请专利范围第2项之光触媒,其中该结晶系以 配合比4:11之比例,分散于水或甲醇者。 4.一种滤器,其特征为申请专利范围第1至3项中任 一项于200nm至300nm之区域中具有吸光波长峰値之光 触媒基材被覆于基材之表面者。 5.如申请专利范围第4项之滤器,其中系使用碳化矽 (SiC)、非晶质二氧化矽(SiO2)、二氧化矽为主要成 分之无机纸,或活性碳、沸石、或以沸石为主要成 分之无机纸做为基材。 6.如申请专利范围第4项之滤器,其中于基材成型为 螺纹状之滤器之表面上,包覆吸光波长峰値为200nm 至300nm之区域之光触媒薄膜。 7.一种空气除菌净化装置,其特征为将申请专利范 围第4项之滤器与杀菌紫外线灯组合者。 8.如申请专利范围第7项之空气除菌净化装置,其中 2种类以上之滤器系被配置与紫外线灯平行之距离 5mm至15mm之范围内。 9.如申请专利范围第7项之空气除菌净化装置,其中 滤器吸入之空气不直接正交于滤器面吸入,系具有 沿滤器内面至外表面或沿外表面朝内面吸入空气 移动路径者。 图式简单说明: 第1图系表示杀菌紫外线灯之光谱能量分布。 第2图系表示紫外线感应型光触媒之吸光曲线。 第3图系表示光触媒结晶透过电子显微镜照片。 |
