| 主权项 |
1.一种有机发光二极体(organic light emitting diode,OLED) 显示面板,至少包括: 一基板; 一阳极,系形成于该基板之上表面上,该阳极至少 包括一金属层及一金属氧化层,其中,该金属氧化 层系使用一紫外线-臭氧(ultraviolet-ozone,UV-O3)处理 该金属层之表面而形成,该紫外线-臭氧处理后未 被氧化之该金属层与该金属氧化层的厚度总和为 10~150埃(); 一有机发光材料层,系形成于该阳极上;以及 一阴极,系形成于该有机发光材料层上。 2.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体显 示面板,其中该有机发光二极体显示面板更包括: 一反射层,系形成于该基板与该阳极之间。 3.如申请专利范围第2项所述之有机发光二极体显 示面板,其中该反射层之材质系选自于铝、银及高 反射率合金所组成之族群中任一种。 4.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体显 示面板,其中该有机发光二极体显示面板更包括: 一反射层,系形成于该阴极上,其中该反射层之材 质系选自于铝、银及高反射率合金所组成之族群 中任一种。 5.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体显 示面板,其中该有机发光二极体显示面板更包括: 一反射层,系形成于该基板之下表面上。 6.如申请专利范围第5项所述之有机发光二极体显 示面板,其中该反射层之材质系选自于铝、银及高 反射率合金所组成之族群中任一种。 7.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体显 示面板,其中该阳极系一反射层。 8.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体显 示面板,其中该阴极系一反射层。 9.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体显 示面板,其中该有机发光二极体显示面板更包括: 一保护层,系形成于该阴极上。 10.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体显 示面板,其中该金属层之材质系选自于镍(Ni)、钛( Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)及钴(Co)所组成之 群组中的任一种。 11.如申请专利范围第10项所述之有机发光二极体 显示面板,其中该金属层为镍,该金属氧化层为氧 化镍(NiOx)。 12.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体显 示面板,其中该金属层之材质系选自于周期表之Ⅳ B族、ⅤB族、ⅥB族、ⅦB族及ⅧB族所组成之群组 中的任一种金属。 13.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体显 示面板,其中该紫外线-臭氧中之紫外线的波长为 172~402奈米(nm)。 14.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体显 示面板,其中该金属氧化层的厚度为6~20埃()。 15.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体显 示面板,其中该有机发光材料层包括: 一电洞传输层,系形成于该阳极上; 一发光层,系形成于该电洞传输层上;以及 一电子传输层,系形成于该发光层上。 16.一种有机发光二极体显示面板之制造方法,至少 包括: 提供一基板; 形成一金属层于该基板之上表面上; 使用一紫外线-臭氧处理该金属层之表面,以形成 一金属氧化层,且该紫外线-臭氧处理后未被氧化 之该金属层及该金属氧化层系构成一阳极,该紫外 线-臭氧处理后未被氧化之该金属层与该金属氧化 层的厚度总和为10~150埃(); 形成一有机发光材料层于该阳极上;以及 形成一阴极于该有机发光材料层上。 17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该方法 于该形成一阴极于该有机发光材料层上之步骤后 更包括: 形成一保护层于该阴极上。 18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该方法 于该形成一金属层于该基板上之步骤中更包括: 形成一反射层于该基板之上表面上;以及 形成一金属层于该反射层上。 19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该反射 层之材质系选自于铝、银及高反射率合金所组成 之族群中任一种。 20.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该方法 于该形成一阴极于该有机发光材料层上之步骤后 更包括: 形成一反射层于该阴极上,其中该反射层之材质系 选自于铝、银及高反射率合金所组成之族群中任 一种。 21.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该方法 更包括: 形成一反射层于该基板之下表面上。 22.如申请专利范围第21项所述之方法,其中该反射 层之材质系选自于铝、银及高反射率合金所组成 之族群中任一种。 23.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该阳极 系一反射层。 24.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该阴极 系一反射层。 25.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该金属 层之材质系选自于镍(Ni)、钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、 锰(Mn)、铁(Fe)及锆(Co)所组成之群组中的任一种。 26.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该金属 层为镍,该金属氧化层为氧化镍(NiOx)。 27.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该金属 层之材质系选自于周期表之ⅣB族、ⅤB族、ⅥB族 、ⅦB族及ⅧB族所组成之群组中的任一种金属。 28.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该方法 于该形成一金属层于该基板上之步骤中更包括; 形成一厚度为10~150埃()之金属层于该基板之上 表面上。 29.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该紫外 线-臭氧中之紫外线的波长为172~402奈米(nm)。 30.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该金属 氧化层的厚度为6~20埃()。 31.如申请专利范围第16所述之方法,其中该方法于 该形成一有机发光材料层于该阳极上之步骤中又 包括: 形成一电洞传输层于该阳极上; 形成一发光层于该电洞传输层上;以及 形成一电子传输层于该发光层上。 图式简单说明: 第1图绘示乃传统之有机发光二极体显示面板之制 造方法的流程图。 第2A~2G图绘示乃第1图之有机发光二极体显示面板 之制造方法的流程剖面图。 第3图绘示乃依照本发明之较佳实施例之有机发光 二极体显示面板之制造方法的流程图。 第4A~4G图绘示乃第3图之有机发光二极体显示面板 之制造方法的流程剖面图。 |
