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1.一种用于制造氮化镓基半导体垂直结构元件的 雷射剥离方法,包含以下步骤: (a)制备一试片单元:准备一转换基板,在该转换基 板上依序形成一氮化镓基半导体层,以及一支持基 板; (b)设置光罩:将一具有镂空区的光罩,邻近该试片 单元之转换基板设置; (c)照光;将雷射光穿过光罩之镂空区并照射该试片 单元,此时位于转换基板上的氮化镓基半导体层具 有对应镂空区的晶粒区,以及位在晶粒区周围的分 隔区; (d)加热:将该受雷射光照射后的试片单元加热;及 (e)剥离:将该转换基板连同氮化镓基半导体层之分 隔区,一起剥离氮化镓基半导体层之晶粒区及支持 基板,亦即,此时转换基板与分隔区是结合在一起, 而晶粒区是与支持基板结合在一起。 2.依据申请专利范围第1项所述之用于制造氮化镓 基半导体垂直结构元件的雷射剥离方法,其中,该 雷射光的能量密度是500~850MJ/cm2,脉冲时间是20~40ns 。 3.依据申请专利范围第2项所述之用于制造氮化镓 基半导体垂直结构元件的雷射剥离方法,其中,该 雷射光的波长是小于或等于355nm。 4.依据申请专利范围第3项所述之用于制造氮化镓 基半导体垂直结构元件的雷射剥离方法,更包含一 项位在步骤(b)之前的步骤(f),所述步骤(f)是将转换 基板抛光。 5.依据申请专利范围第4项所述之用于制造氮化镓 基半导体垂直结构元件的雷射剥离方法,其中,晶 粒区之形状是由光罩之镂空区的形状所定义而成 。 6.依据申请专利范围第5项所述之用于制造氮化镓 基半导体垂直结构元件的雷射剥离方法,其中,晶 粒区的间距是由两次击发雷射光的位置所定义而 成。 7.依据申请专利范围第6项所述之用于制造氮化镓 基半导体垂直结构元件的雷射剥离方法,其中,该 转换基板是蓝宝石基板。 图式简单说明: 图1是本发明用于制造氮化镓基半导体垂直结构元 件的雷射剥离方法的流程图; 图2是一立体图,显示本发明之一第一较佳实施例 的一光罩、一雷射光,以及一试片单元的设置状态 ; 图3是该第一较佳实施例的各步骤的加工示意图; 图4是该第一较佳实施例所得结果的图片,图中显 示晶粒区边长为300m,切割道宽度为60m; 图5是本发明之一第二较佳实施例所得结果的图片 ,图中显示晶粒区边长为300m,切割道宽度为250m ;及 图6是本发明之一第三较佳实施例所得结果的图片 ,图中晶粒区边长由大至小分别为360m、300m、 230m、90m。 |
