发明名称 应用于高频之电子材料及其制造方法
摘要 本发明系有关一种电子材料,该电子材料具有低介电常数及低介电损失,其配方包括:(a)苯乙烯-马来酸酐共聚物,其结构如下图所示:其中,m为1至6之整数,而n为2至12之整数;(b)氧代氮代苯并环己烷,其结构如下图所示:(c)环氧树脂;(d)增韧剂;(e)催化剂;以及(f)稀释剂。
申请公布号 TWI290945 申请公布日期 2007.12.11
申请号 TW094139272 申请日期 2005.11.09
申请人 台燿科技股份有限公司 发明人 陈宪德;范晋国;赖孟邦;李志明;刘又如
分类号 C08L63/00(2006.01);H05K1/03(2006.01) 主分类号 C08L63/00(2006.01)
代理机构 代理人 洪尧顺 台北市内湖区行爱路176号3楼
主权项 1.一种电子材料,该电子材料具有低介电常数及低 介电损失,其配方包括: (a)一苯乙烯-马来酸酐共聚物,其结构如下图所示: 其中,m为1至6之整数,而n为2至12之整数; (b)氧代氮代苯并环己烷,其结构如下图所示: 其中,R1及R3系选自甲基、苯基、环氧基、氰酸脂 基、乙烯基、马来醯亚胺基、氧代烯烃基、炔烃 基、环丙二烯基、双环烯烃基、苯乙烯基、衣康 酸脂基、苯并环丁烯基、芳香族炔丙醚、及芳香 族乙炔所成组群, 其中,R2系选自 及S所成组群中之一者; (c)一环氧树脂; (d)一增韧剂; (e)一催化剂;以及 (f)一稀释剂。 2.如申请专利范围第1项所述之电子材料,其中,该 环氧树脂的环氧当量为250~750g/eq。 3.如申请专利范围第1项所述之电子材料,其中,该 含溴环氧树脂之溴之重量百分比为15~25%。 4.如申请专利范围第1项所述之电子材料,其中,该 含磷环氧树脂之磷之重量百分比为2~10%。 5.如申请专利范围第1项所述之电子材料,其中,该 环氧树脂的水解氯含量为500ppm以下。 6.如申请专利范围第1项所述之电子材料,其中,该 催化剂为三级胺。 7.如申请专利范围第1项所述之电子材料,其中,该 催化剂为2-甲基咪唑。 8.如申请专利范围第1项所述之电子材料,其中,该 催化剂为2-乙基-4-甲基咪唑。 9.如申请专利范围第1项所述之电子材料,其中,该 催化剂为2-苯基咪唑。 10.如申请专利范围第1项所述之电子材料,其中,该 催化剂为苯甲基二甲胺。 11.如申请专利范围第1项所述之电子材料,其中,该 增韧剂包括一环氧化之羧基封端的丁二烯-丙烯 橡胶、一胺基封端的丁二烯-丙烯橡胶、一羧基 封端的丁二烯-丙烯橡胶、以及一高分子量环氧 树脂。 12.如申请专利范围第11项所述之电子材料,其中,该 环氧化之羧基封端的丁二烯-丙烯橡胶之环氧当 量为200~1000,水解氯含量为500ppm以下。 13.如申请专利范围第11项所述之电子材料,其中,该 增韧剂之丙烯之重量百分比为15~80%。 14.如申请专利范围第11项所述之电子材料,其中,该 高分子量环氧树脂系选自双酚A型环氧树脂、双酚 F型环氧树脂、及双酚M型环氧树脂所成组群中之 一者,其分子量为1000~50000。 15.一种电子材料之制造方法,该电子材料具有低介 电常数及低介电损失,该制造方法包括下列步骤: (1)将环氧树脂加入于一搅拌器内; (2)一边搅拌一边将苯乙烯-马来酸酐共聚物加入该 搅拌器中,再于其中加入氧代氮代苯并环己烷; (3)均匀混合后,将一催化剂加入该搅拌器中,而形 成一浆料; (4)使用一稀释剂来调整该浆料至适当粘度的状态, 得到一环氧树脂清漆; (5)将该环氧树脂清漆披覆至一补强材料上;以及 (6)经由加热聚合硬化形成一基板。 16.如申请专利范围第15项所述之电子材料之制造 方法,其中,该补强材料为玻离布、玻离蓆、或聚 亚醯胺纤维布(aramide fiber)。 17.如申请专利范围第15项所述之电子材料之制造 方法,其中,该稀释剂系选自丙酮、甲乙酮、环己 醇、甲基异丁酮、丙二醇甲醚、丙二醇甲醚醋酸 酯、及二甲基甲醯胺所成组群。 18.如申请专利范围第15项所述之电子材料之制造 方法,其中,该步骤(5)之披覆方法为涂布方法。 19.如申请专利范围第15项所述之电子材料之制造 方法,其中,该步骤(5)之披覆方法为含浸方法。
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