| 主权项 |
1.一种氧化钛,该氧化钛具有在600℃或更高温时,由 质量数相对于电荷量之比例为28的展开气体展现 至少一个波峰的选择性离子色谱,该氧化钛具有在 800℃或更高温时,由m/e之比例为64的展开气体展现 至一个波峰之选择性离子色谱,该选择性离子色谱 乃是由热重分析质谱仪测得,其中,该选择性离子 色谱系在施加1000 V之电子穿隧倍增器(Channeltron Electron Multiplier)伏特时测得。 2.如申请专利范围第1项之氧化钛,其中,该氧化钛 进一步具有在600℃或更高温时,由质量数对电荷量 之比例为14的展开气体展现一个波峰的选择性离 子色谱,该选择性离子色谱乃是由热重分析质谱仪 测得。 3.如申请专利范围第1项之氧化钛,其中,该质量数 对电荷量之比例为28的展开气体之波峰系在950℃ 或更低温时展现。 4.如申请专利范围第2项之氧化钛,其中,该质量数 对电荷量之比例为14的展开气体之波峰系在950℃ 或更低温时展现。 5.如申请专利范围第1至4项中任一项之氧化钛,其 中,该选择性离子色谱系在施加1500 V之电子穿隧倍 增器伏特时测得。 6.一种光催化剂,该光催化剂含有如申请专利范围 第1至4项中任一项申请之氧化钛作为催化成分。 7.一种光催化剂涂覆组成物,包括如申请专利范围 第1至4项中任一项申请之氧化钛及溶剂,其中,该溶 剂系涂布或涂覆该组成物后不会残留于氧化钛之 溶剂。 图式简单说明: 第1图系本发明氧化钛(实例1制得者)之选择性离子 色谱,其中之展开气体的质量数"m"对电荷量"e"的比 例"m/e"为28,该选择性离子色谱系在施加CEM伏特为 1500 V的条件下,由热重分析质谱仪测得者。 第2图系本发明氧化钛(实例1制得者)之选择性离子 色谱,其中之展开气体的"m/e"比例为14,该选择性离 子色谱系在施加CEM伏特为1500 V的条件下,由热重分 析质谱仪测得者。 第3图系本发明氧化钛(实例1制得者)之选择性离子 色谱,其中之展开气体的"m/e"比例为64,该选择性离 子色谱系在施加CEM伏特为1500 V的条件下,由热重分 析质谱仪测得者。 第4图系本发明氧化钛(实例1制得者)之选择性离子 色谱,其中之展开气体的"m/e"比例分别为28或14,该 选择性离子色谱系在施加CEM伏特为1000 V的条件下, 由热重分析质谱仪测得者。 第5图系商业上购得之氧化钛(于比较例1中使用者) 的选择性离子色谱,其中之展开气体的"m/e"比例为 28,该选择性离子色谱系在施加CEM伏特为1500 V的条 件下,由热重分析质谱仪测得者。 第6图系商业上购得之氧化钛(于比较例1中使用者) 的选择性离子色谱,其中之展开气体的"m/e"比例为 14,该选择性离子色谱系在施加CEM伏特为1500 V的条 件下,由热重分析质谱仪测得者。 第7图系商业上购得之氧化钛(于比较例1中使用者) 的选择性离子色谱,其中之展开气体的"m/e"比例为 64,该选择性离子色谱系在施加CEM伏特为1500 V的条 件下,由热重分析质谱仪测得者。 第8图系商业上购得之氧化钛(于比较例1中使用者) 的选择性离子色谱,其中之展开气体的"m/e"比例分 别为28或14,该选择性离子色谱系在施加CEM伏特为 1000 V的条件下,由热重分析质谱仪测得者。 |
