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1.一种化合物半导体元件之铜金属化之欧姆接触 电极,系包括有: 一欧姆接触电极,系由一钯(Pd)层、一锗(Ge)层及一 铜(Cu)层所组成,其经过电子束蒸镀沈积于一化合 物半导体元件上,接着去除光阻,最后进行退火而 形成该欧姆接触电极。 2.依申请专利范围第1项所述之化合物半导体元件 之铜金属化之欧姆接触电极,其中,该欧姆接触电 极的接触电阻可利用调整钯层、锗层及铜层之间 的厚度来作改变。 3.依申请专利范围第1项所述之化合物半导体元件 之铜金属化之欧姆接触电极,其中,该欧姆接触电 极系需经过退火制程,以获得低接触电阻的电极。 4.依申请专利范围第3项所述之化合物半导体元件 之铜金属化之欧姆接触电极,其中,该欧姆接触电 极之接触电阻系为9x10-7欧姆平方公分(cm2)。 5.依申请专利范围第2项所述之化合物半导体元件 之铜金属化之欧姆接触电极,其中,该该钯层之厚 度系约为50至10050之间。 6.依申请专利范围第2项所述之化合物半导体元件 之铜金属化之欧姆接触电极,其中,该该锗层之厚 度系约为1500至10000之间。 7.依申请专利范围第2项所述之化合物半导体元件 之铜金属化之欧姆接触电极,其中,该该钯层之厚 度系约为500至10000之间。 8.依申请专利范围第1项所述之化合物半导体元件 之铜金属化之欧姆接触电极,其中,该化合物半导 体元件之铜金属化之欧姆接触电极系选自双载子 电晶体、高电子迁移率电晶体或金属半导体场效 应电晶体。 9.依申请专利范围第1项所述之化合物半导体元件 之铜金属化之欧姆接触电极,其中,该化合物半导 体元件之铜金属化之欧姆接触电极系可为砷化镓 元件。 图式简单说明: 第1图,系本发明之实施例之架构示意图。 |
