| 发明名称 | 底栅薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造底栅薄膜晶体管的方法，其中相对简单容易地形成具有大的晶粒尺寸的多晶硅沟道区。该方法包括：在衬底上形成底栅电极；在所述衬底上形成栅极绝缘层以覆盖所述底栅电极；在所述栅极绝缘层上依次形成非晶半导体层、N型半导体层和电极层；依次蚀刻形成在所述底栅电极上的电极区和N型半导体层区以暴露非晶半导体层区；使用激光退火法熔化所述非晶半导体层区；和结晶所述熔化的非晶半导体层区以形成侧向生长的多晶硅沟道区。 | ||
| 申请公布号 | CN101086968A | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN200610166770.9 | 申请日期 | 2006.12.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 林赫;朴永洙;鲜于文旭;车映官 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种制造底栅薄膜晶体管的方法，该方法包括：在衬底上形成底栅电极；在所述衬底上形成栅极绝缘层以覆盖所述底栅电极；在所述栅极绝缘层上依次形成非晶半导体层、N型半导体层和电极层；依次蚀刻形成在所述底栅电极上的电极区和N型半导体层区以暴露非晶半导体层区；使用激光退火法熔化所述非晶半导体层区；和结晶所述熔化的非晶半导体层区以形成侧向生长的多晶硅沟道区。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||