半导体光学元件及其制造方法

摘要

本发明构成一种可防止金属电极层的剥离并且可抑制接触电阻的上升的半导体光学元件。本发明的LD(10)包括：半导体层叠结构(37)，包含在n GaN基板(12)上依次层叠的有源层(26)、p包层(34)和接触层(36)；波导脊(40)，由该半导体层叠结构(37)的接触层(36)和p包层(34)的一部分形成；第1硅绝缘膜(44)，与该波导脊(40)的顶部对应地具有开口部(44a)，覆盖波导脊(40)的侧壁；紧密附着层(45)，包含排除开口部(44a)地配设在第1硅绝缘膜(44)上的由Ti构成的第1紧密附着膜(45a)；以及p侧电极(46)，配设在该紧密附着层(45)上，并且经开口部(44a)与波导脊(40)的顶部的接触层(36)紧密附着在一起。

主权项

1.一种半导体光学元件，其特征在于，具备：基板；半导体层叠结构，包含在该基板上依次层叠的第1导电类型的第1半导体层、有源层和第2导电类型的第2半导体层；波导脊，由包含该半导体层叠结构的上述第2半导体层的一部分半导体层形成；第1绝缘膜，与该波导脊的项部对应地具有开口部，覆盖波导脊的侧壁；紧密附着层，排除上述开口部地配设在上述第1绝缘膜上，并且包含由Ti、TiW、Nb、Ta、Cr、Mo的任一种金属或上述金属的任一种的氮化物形成的第1紧密附着膜；以及金属电极层，配设在该紧密附着层上，并且经上述开口部紧密附着于上述波导脊的顶部的第2半导体层上。