发明名称 回流方法、图案形成方法及薄膜电晶体之制造方法
摘要 [课题]在回流处理中,加进光阻剂的流动,提升生产量的同时,在被处理体的面内调整回流的行进速度。[解决手段]在步骤S7之回流处理前,在步骤S6进行局部性UV照射处理。未以源极电极用光罩210及汲极电极用光罩211覆盖的下层膜之表面藉由UV照射处理而改质,在接着进行的回流处理之际,光阻剂为易流动的状态,就能在较短的制程时间结束回流处理之同时,可在基板面内调整光阻剂的流动速度。
申请公布号 TW200830414 申请公布日期 2008.07.16
申请号 TW096141706 申请日期 2007.11.05
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 麻生丰
分类号 H01L21/312(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 H01L21/312(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本