回流方法、图案形成方法及薄膜电晶体之制造方法

摘要

〔课题〕本发明系一面确保被处理体的图案之精度之均匀性、一面省光阻剂化以及达到制程数、总制程时间、微影相关装置之台数的削减。〔解决手段〕在步骤S7之回流处理前，在步骤S6进行表面改质处理。藉由表面改质处理，n#sP!+#eP!Si膜205的露出表面会被表面改质，形成表面改质处理面205a。其次，利用回流处理元件（REFLW）60施行回流处理。虽然已软化的光阻剂会因该回流处理而变形，但已软化的光阻剂之流动，利用n#sP!+#eP!Si膜205的表面改质处理面205a抑制，回流后的变形光阻剂212超过下层的源极电极206a与汲极电极206b的面积，而超出周围的现象被大幅抑制。