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发明名称
离子植入机的反应室及其清洁方法
摘要
一种离子植入机之反应室,包含一晶圆区、一缓冲区以及一光束装置。晶圆区包含复数承载部。缓冲区包含复数缓冲部,该些缓冲部系分别结合于该些承载部。光束装置发射出一光束并于该缓冲区范围内对该些缓冲部进行扫描以清洁该些缓冲部。该方法至少包含:提供一光束,并使用该光束扫描该缓冲区范围以清洁该些缓冲部。
申请公布号
TW200830379
申请公布日期
2008.07.16
申请号
TW096100971
申请日期
2007.01.10
申请人
茂德科技股份有限公司
发明人
张原铭;侯吉顺;邓礼成
分类号
H01L21/265(2006.01);H01L21/30(2006.01)
主分类号
H01L21/265(2006.01)
代理机构
代理人
王宗梅
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼
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