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<P>L'invention concerne un transistor à puits quantique à effet tunnel résonnant. <BR/> Afin d'améliorer le gain en évitant que des charges ne soient stockées dans le puits, composé d'une couche (14) à faible bande interdite et de deux barrières (13, 15) à large bande interdite, le puits quantique est délimité latéralement -selon le plan des couches- par une région dépeuplée (22) qui forme une boite quantique de dimensions inférieures à la longueur d'onde de de Broglie. <BR/> Application à l'électronique rapide (200 GHz).</P>
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