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<p>Eine integrierte Leistungsschaltung (1) umfaßt entweder ein vertikales Leistungsbauelement (2, 3) und eine Steuerschaltung (4) zum Ansteuern des vertikalen Leistungsbauelementes (2, 3) oder lediglich vertikale Leistungsbauelemente (2, 3). Um unerwünschte Einflüsse von Schaltvorgängen des vertikalen Leistungsbauelementes (2, 3) auf die Steuerschaltung (4) zu verhindern, wird bei dem Herstellungsverfahren der integrierten Leistungsschaltung (1) eine Ätzstoppschicht (12) unterhalb des für die Steuerschaltung (4) bestimmten Halbleiterbereiches erzeugt, woraufhin die Steuerschaltung (4) und das vertikale Leistungsbauelement (2, 3) mittels üblicher Prozeßschritte hergestellt werden. Anschließend werden eine vorderseitige Schutzschicht und eine rückseitige Maskenschicht auf den Wafer aufgebracht. Nach Strukturierung der Maske zum Erzeugen einer Öffnung unterhalb der Ätzstoppschicht (12) erfolgt ein rückseitiges Ätzen des Substrates bis zum Erreichen der Ätzstoppschicht (12). Alternativ werden nach Durchführung der Pozeßschritte zur Herstellung der vertikalen Leistungsbauelemente (2, 3) und nach Erzeugen einer lateralen Isolationsschicht (13) zwischen den vertikalen Leistungsbauelementen eine vorderseitige Schutzschicht und eine rückseitige Maskenschicht erzeugt, woraufhin die rückseitige Maskenschicht mit einer Ausnehmung unterhalb der lateralen Isolationsschicht (13) versehen wird, durch die das Substrat rückseitig bis zum Erreichen der lateralen Isolationsschicht geätzt wird.</p> |
