CVD process for coating extensive substrates.

摘要

Die Erfindung betrifft ein CVD-Verfahren zur Beschichtung großflächiger Substrate, wobei eine Anregung von Ausgangsstoffen und die Beschichtung mindestens eines auf einem Substrathalter angeordneten Substrats in durch eine Trennwand getrennten Bereichen stattfindet, die angeregten Ausgangsstoffe durch eine Öffnung in der Trennwand vom Anregungsbereich in den Beschichtungsbereich geleitet werden und der Substrathalter relativ zu der Öffnung bewegt wird. Ein schnelles und preisgünstiges Verfahren zur homogenen Beschichtung von großflächigen Substraten mit uniformen einphasigen oder auch mehrphasigen Schichten ergibt sich dadurch, daß sämtliche Prozeßgase in den Anregungsbereich geführt werden, daß die angeregten Prozeßgase danach durch eine einzige Öffnung einer zugeordneten Blende in den Beschichtungsbereich geführt werden, daß die Wandungsdicke der Blende höchstens 1 mm beträgt, daß sich die lichten Weiten der Öffnung in allen Richtungen um weniger als einen Faktor 1,5 voneinander unterscheiden, daß die lichten Weiten wesentlich kleiner als die Abmessungen des Substrathalters sind, und daß der Substrathalter in zwei Koordinatenrichtungen parallel zur Fläche der Blendenöffnung bewegt wird. <IMAGE>