带反向MISFET基片的超导场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明的场效应晶体管由作为栅极的传导基片(2)，一个绝缘阻挡层(3)和阻挡层(3)上的一个超导通道层(1)所组成，超导体层(1)承载着一对相距一定距离的电极(4，5)，分别构成源极和漏极，基片以一个适当的门电极的形式出现。基片(2)由与阻挡层(2)相同的属于同一晶体家族的材料所构成，在所用的具体元件中，基片(2)是一个掺铌的锶钛酸盐，阻挡层(3)是一个无掺杂元素的锶钛酸盐，超导体(1)是一个很薄的膜。

主权项

1、具有电场控制的通道电流和门，源和漏电极的超导场效应晶体管，其特征有：由某种晶体家族的第一种材料的单晶体组成的导电片(2)，这个基片具有预定的晶格取向，所述的基片(2)有一个合适的触点(6)构成门电极，一个绝缘阻挡层(3)喷涂在基片(2)上，这个阻挡层由第二种材料的同种家族所构成并具有与基片(2)相同的晶格取向，一个超导薄膜层(1)喷涂在绝缘阻挡层(3)之上，并由与前述材料家族类似的晶格特性的材料构成，超导薄膜(1)作为所述的电流通道，超导薄膜(1)上的两端有两个金垫(5，6)，分别作为源极和漏极。