发明名称 发光二极体的封装构造及其封装方法
摘要 一种发光二极体的封装构造,包含基材、发光晶片以及缓冲层体结构。发光晶片系设于基材上,并具有一第一折射率。缓冲层体结构系设于基材上并覆盖发光晶片,且包含第一缓冲层体以及第二缓冲层体。第一缓冲层体覆盖发光晶片,并具有一第二折射率。第二缓冲层体覆盖第一缓冲层体,并具有一第三折射率。其中第一折射率大于第二折射率,以及第二折射率大于第三折射率,以减少当光线通过封装介质时所发生的全反射现象。
申请公布号 TW200926880 申请公布日期 2009.06.16
申请号 TW096148016 申请日期 2007.12.14
申请人 亿光电子工业股份有限公司 发明人 袁瑞鸿
分类号 H05B33/04(2006.01) 主分类号 H05B33/04(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 台北县土城市中央路3段76巷25号