| 发明名称 | 减小窄沟道反向效应的方法 | ||
| 摘要 | 一种减小窄沟道反向效应的方法，提供至少三个SRAM初始布图，所述每一个SRAM初始布图中具有邻接边界的相邻N阱和P阱；移动单个SRAM初始布图中N阱和P阱的邻接边界获得对应的SRAM更新布图；所述各个SRAM更新布图N阱宽度不同；测量至少3个根据SRAM更新布图形成的SRAM器件的电性参数，得到测得的电性参数变化趋势；若所测得的电性参数变化趋势与对应目标值的变化趋势相同，则比较所测得电性参数与对应的目标值；若所述测得的电性参数与对应目标值的差值在容忍范围之内，则采用该电性参数对应的SRAM更新布图。所述减小窄沟道反向效应的方法调试效率较高。 | ||
| 申请公布号 | CN101458721A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200710094485.5 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 黄艳;李家豪 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1. 一种减小窄沟道反向效应的方法，其特征在于，包括下列步骤，提供至少三个SRAM初始布图，所述每一个SRAM初始布图中具有邻接边界的相邻N阱和P阱；移动单个SRAM初始布图中N阱和P阱的邻接边界获得对应的SRAM更新布图；所述各个SRAM更新布图N阱宽度不同；测量至少3个根据SRAM更新布图形成的SRAM器件的电性参数，得到测得的电性参数变化趋势；若所测得的电性参数变化趋势与对应目标值的变化趋势相同，则比较所测得电性参数与对应的目标值；若所述测得的电性参数与对应目标值的差值在容忍范围之内，则采用该电性参数对应的SRAM更新布图。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||