| 摘要 |
<P>Cette hétérostructure comprend au moins un motif comportant une couche mince semiconductrice (10a, 10b), deux couches-barrières semiconductrices (12) encadrant la couche mince et ayant une plus grande largeur de bande interdite que celle-ci, ce qui crée un puits de potentiel, une couche ultrafine attractive (S) insérée dans la couche mince, sensiblement au milieu de celle-ci, et faite d'un matériau semiconducteur appartenant à la même famille que le matériau de la couche mince. L'hétérostructure comporte au moins deux sous-bandes dont les états d'énergie minimale sont confinés dans le puits de potentiel et dont les énergies minimales sont respectivement notées E1 et E2, avec E2 supérieure à E1, la profondeur du puits étant très supérieure à E2 et la distance entre les minima en énergie de ces sous-bandes étant au moins égale à 400 meV. AppLication en optoélectronique.</P>
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